tranzystora MOSFET jest, że stosuje się wpływ pola elektrycznego do sterowania przepływem prądu; działa jako przełącznik, oraz wzmacniacz sygnału. W przeciwieństwie do tranzystora przyłączeniowej , który kontroluje duży prąd z mniejszego ,MOSFET steruje prąd o napięciu . Tranzystory są w dwóch polaryzacji , str. kanału i N kanału , gdzie ” P ” oznacza pozytywne i ” N ” oznacza ujemny. Tranzystory MOSFET
MOSFET jest urządzeniem trzy -końcowy ; zaciski są nazywanebramy , osączyć i źródło . Napięcie zastosowane w bramie kontroluje przepływ elektronów od źródła do odpływu . Gdynapięcie bramki przechodzi wartość progową,tranzystor przechodzi z nieprzewodzących do prowadzenia . Odporność brama jest bardzo wysoki , rzędu milionów megohm . Ze względu na tę wysoką odpornością , pobór prądu MOSFET jest przy bramie jest bardzo niska . Rezystancja między źródłem i drenażu staje się niski , kiedy urządzenie wykonuje ; MOSFET może obsługiwać kilkadziesiąt amperów prądu bardzo mało strat.
Oprócz P i N typów kanałów , MOSFET są jako urządzenia akcesorium wyczerpywanie -mode lub trybu . Tranzystor wzmocnienia jest zwykle tryb wyłączyć i włącza się z napięciem ; Urządzenie jest w trybie uszczuplenie normalnie i wyłącza się na z napięciem . Poniższe opisy dotyczą enhancement -mode tranzystorów .
P Kanał
Aby włączyć MOSFET kanału P , ty zastosowanie ujemnego napięcia do bramy . To napięcie jest ujemny w stosunku do masy. W obwodzie , po podłączeniu terminala źródłowego P Channel MOSFET do dodatniego napięcia zasilania i odpływu do rezystora podłączonego do ziemi ; Rezystor ogranicza prądu płynącego przez tranzystor . Symbol Schemat dla kanału P MOSFET ma strzałki wskazujące z dala od bramy . Imperium N Kanał
N kanałowy MOSFET włącza się po zastosowaniu dodatnie napięcie na jego zacisku suwakowego . Napięcie jest większe niż dodatniego napięcia zasilania na terminalu spustowego. Rezystor między pozytywnym dostaw i drenażu ogranicza prąd ; dla kanału MOSFET N ,zacisk źródła łączy się z ziemią . Symbol obiegu dla kanału MOSFET N ma strzałka wskazywała bramy urządzenia.
Low Side i High Side
obwód nazywakierowca niska używa N MOSFET kanał ; nazywany jest ” niska „, ponieważłączy się z tranzystora podłączenia uziemienia obwodu . Dodatnie napięcie zasilania napędza urządzenie , gdy MOSFET włącza . Sterownik high side , z drugiej strony , ma MOSFET kanału P połączony z dodatnim zasilania z przełączanym urządzenia podłączonego do zacisku spustowego tranzystora a masę. Niski po stronie kierowcy jest prostsze obwodu ; Kierowca wysokie, jednak pozwala przełączyć kierunek prądu przez urządzenie . Imperium